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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 35/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M-E3 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
35
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
Seamless Burst Write Operation: RL = 5, WL = 4, BL = 4
The seamless burst write operation is supported by enabling a write command every other clock for BL = 4
operation, every four clocks for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different
banks as long as the banks are activated
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
Write A
Post CAS
WL = RL - 1 = 4
DQS/
DQS
Write B
Post CAS
DIN B
0
DIN B
1
DIN B
2
DIN B
3
DQS
DQS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G421LM | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421M | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421M-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HY5PS1G831CFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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