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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 50/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M-E3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页当前第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页
Rev. 0.2 / Oct. 2005
50
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
CK
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
RDA
RDA
BL=8
PRE
PRE
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
& tRAS min satisfied
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
& tRAS min satisfied
Read to power down entry
Read with Autoprecharge to power down entry
CK
CK
CK
Start internal precharge
AL + CL
AL + CL
CKE should be kept high until the end of burst operation.
AL + CL
BL=4
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
AL + CL
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
CKE should be kept high until the end of burst operation.
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
RD
BL=4
RD
BL=8
Read operation starts with a read command and
Q
Q
Q
Q
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G421LM | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421M | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421M-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5PS1G831ALFP-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G831CFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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