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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 45/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M-E3 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
45
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
Example 3: Burst Read with Auto Precharge Followed by an activation to the Same
Bank(tRC Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
Example 4: Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same
Bank(tRP Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS/DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRAS(min)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS/DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRAS(min)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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