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参数资料
| 型号： | HY62EF16200ASLM-10 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48 |
| 封装： | MICRO, CSP, BGA-48 |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | HY62EF16200ASLM-10 |
HY62UF16200A/HY62QF16200A/HY62EF16200A/HY62SF16200A Series
Rev.01 / Feb. 99
9
AC TEST LOADS
D
OUT
3150 Ohm
CL(1)
3070 Ohm
VTM(2)
Note
1. Including jig and scope capacitance
2. VTM = 2.8V for Vcc = 3.0V : HY62UF16200A-(I)
VTM = 2.3V for Vcc = 2.5V : HY62QF16200A-(I)
VTM = 1.8V for Vcc = 2.0V : HY62EF16200A-(I)
VTM = 1.6V for Vcc = 1.8V : HY62SF16200A-(I)
CAPACITANCE
(Temp = 25
°C, f= 1.0MHz)
Symbol
Parameter
Condition
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance(Add, /CS, /WE, /OE)
VIN = 0V
8
pF
COUT
Output Capacitance(I/O)
VI/O = 0V
10
pF
Note : These parameters are sampled and not 100% tested
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1(Note 1)
ADDR
OE
CS
UB,LB
Data
Out
Data Valid
tRC
tACS
tCLZ
tOE
tOLZ(5)
tAA
tOH
tBHZ(5)
High-Z
tBA
tBLZ(5)
tOHZ(5)
tCHZ(5)
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PDF描述 |
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