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参数资料
| 型号： | IDT709149S10PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709149S10PFI |
IDT709149S
High-Speed 36K (4K x 9-bit) Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
Unit
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
Grade GND Vcc
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +7.0
V
Ambient Temperature
with Respect
to GND
Commercial
0 O C to +70 O C
0V
5.0V + 10%
-40 C to +85 C
V TERM
(2)
Terminal Voltage
-0.5 to V CC
V
Industrial
O O
0V
5.0V + 10%
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
-55 to +125
-65 to +150
o
o
C
C
3494 tbl 02
N OTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
Temperature
I OUT
NOTES:
DC Output Current
50
mA
3494 tbl 01
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
Recommended DC Operating
Conditions
6.0
-0.5
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V cc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V cc + 10%.
Symbol
V CC
GND
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
4.5
0
2.2
(1)
Typ.
5.0
0
____
____
Max.
5.5
0
(2)
0.8
Unit
V
V
V
V
Capacitance (T A = +25°C, f = 1.0MH z )
NOTES:
3494 tbl 03
Symbol
C IN
C OUT
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
9
Unit
pF
pF
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed V cc + 10%.
NOTES:
3494 tbl 04
1. These parameters are determined by device characterization, but are not produc-
tion tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch from
0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
709149S
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V CC < 2.0V, input leakages are undefined
3
6.42
3494 tbl 05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IDT70914S12PF | IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP |
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参数描述 |
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