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参数资料
| 型号： | IDT709149S10PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709149S10PFI |
IDT709149S
High-Speed 36K (4K x 9-bit) Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL )
t CYC2
CLK
CE
t CH2
t CL2
t S
t H
t S
t H
R/ W
t S
t H
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
t S
t H
t S
t H
DATA IN
Dn + 2
(2)
t CD2
t CKHZ
(1)
(1)
t CKLZ
t CD2
DATA OUT
Qn
Qn + 3
NOP
READ
(3)
WRITE
READ
3494 drw 09
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
CE
t S
t H
t S
t H
R/ W
t S
t H
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t S
t H
t S
t H
DATA IN
(2)
t C D 2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ (1)
t CD2
DATA OUT
Qn
Qn + 4
t OHZ
(1)
OE
READ
WRITE
READ
3494 drw 10
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
8
6.42
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