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参数资料
| 型号： | IDT709149S10PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 80-LQFP |
| 供应商设备封装： | 80-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709149S10PFI |
IDT709149S
High-Speed 36K (4K x 9-bit) Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
(Left Port; Right Port when FT /Piped R = V IH ) (3)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
CE
t S
t H
t S
t H
R/ W
t S
t H
ADDRESS
An
An + 1
An + 2
An + 3
DATA OUT
(1 Latency)
t CD2
Qn
t DC
Qn + 1
t CD2
Qn + 2
t CKLZ
(1)
t OHZ
(1)
t OLZ
(1)
OE
(2)
t OE
3494 drw 08
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
3. CLKEN L and CLKEN R = V IL .
7
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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