参数资料
型号: IDT709149S10PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 36K(4K x 9)
速度: 10ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 80-LQFP
供应商设备封装: 80-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 709149S10PFI
IDT709149S
High-Speed 36K (4K x 9-bit) Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature Range—
(Read and Write Cycle Timing)
(Commercial: V CC = 5V ± 10%, T A = 0°C to +70°C)
709149S8
Com'l Only
709149S10
Com'l
& Ind
709149S12
Com'l Only
Symbol
t CYC1
t CYC2
Parameter
Clock Cycle Time (Flow-Through) (3)
Clock Cycle Time (Pipelined) (3)
Min.
16
13
Max.
____
____
Min.
20
15
Max.
____
____
Min.
20
16
Max.
____
____
Unit
ns
ns
t CH1
Clock High Time (Flow-Through)
(3)
6
____
7
____
8
____
ns
Clock Low Time (Flow-Through)
Clock High Time (Pipelined)
Clock Low Time (Pipelined)
Clock to Data Valid (Flow-Through)
Clock to Data Valid (Pipelined)
Clock High to Output Low-Z
Clock High to Output High-Z
Output Enable to Output Low-Z
Output Disable to Output High-Z
t CL1
t CH2
t CL2
t CD1
t CD2
t S
t H
t DC
t CKLZ
t CKHZ
t OE
t OLZ
t OHZ
t SCK
t HCK
t CWDD
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
Registered Signal Set-up Time
Registered Signal Hold Time
Data Output Hold After Clock High
(1,2)
(1,2)
Output Enable to Output Valid
(1,2)
(1,2)
Clock Enable, Disable Set-Up Time
Clock Enable, Disable Hold Time
Write Port Clock High to Read Data Delay
6
6
6
____
____
4
1
1
2
____
____
0
____
4
1
____
____
____
____
12
8
____
____
____
____
7
8
____
7
____
____
25
7
6
6
____
____
4
1
1
2
____
____
0
____
4
1
____
____
____
____
15
10
____
____
____
____
7
8
____
7
____
____
30
8
6
6
____
____
5
1
1
2
____
____
0
____
5
1
____
____
____
____
20
12
____
____
____
____
9
10
____
9
____
____
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
3494 tbl 08
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. The Pipelined output parameters (t CYC2 , t CD2 ) always apply to the Left Port. The Right Port uses the Pipelined t CYC2 and t CD2 when FT /PIPED R = V IH and the Flow-
Through parameters (t CYC1 , t CD1 ) when FT /PIPED R = V IL.
5
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70914S12PF IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP
IDT709169L7BFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
IDT709279L9PFG IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP
IDT709289L9PFI IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
IDT709359L7BFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT709149S10PFI8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709149S12PF 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709149S12PF8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709149S8PF 功能描述:IC SRAM 36KBIT 8NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT709149S8PF8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 8NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8