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参数资料
| 型号： | IDT709279L9PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
IDT709279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Description
The IDT709279/69 is a high-speed 32/16K x 16 bit synchronous
Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to
allow simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold times.
The timing latitude provided by this approach allows systems to be
designed with very short cycle times.
Pin Configurations (2,3,4)
01/15/04
Index
Preliminary
Industrial and Commercial Temperature Ranges
With an input data register, the IDT709279/69 has been optimized for
applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An
automatic power down feature, controlled by CE 0 and CE 1, permits the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 950mW of power.
1
A 9L
A 10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2 74
A 9R
A 10R
A 11L
A 12L
A 13L
A 14L (1)
NC
NC
3
4
5
6
7
8
73
72
71
70
69
68
A 11R
A 12R
A 13R
A 14R (1)
NC
NC
NC
LB L
UB L
CE 0 L
9
10
11
12
IDT709279/69PF
PN100-1 (5)
67
66
65
64
NC
LB R
UB R
CE 0R
CE 1L
CNTRST L
V CC
R/ W L
OE L
FT /PIPE L
GND
I/O 15L
I/O 14L
I/O 13L
I/O 12L
I/O 11L
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
100-Pin TQFP
Top View (6)
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
CE 1R
CNTRST R
GND
R/ W R
OE R
FT /PIPE R
GND
I/O 15R
I/O 14R
I/O 13R
I/O 12R
I/O 11R
,
25
I/O 10L
51
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
I/O 10R
3243 drw 02
NOTES:
1. A 14X is a NC for IDT709269.
2. All V CC pins must be connected to power supply.
3. All GND pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IDT709279S15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709279S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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