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参数资料
| 型号： | IDT709279L9PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
IDT709279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Synchronous Dual-Port Static RAM
Pin Names
Preliminary
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 14L (1)
I/O 0L - I/O 15L
CLK L
UB L
LB L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 14R (1)
I/O 0R - I/O 15R
CLK R
UB R
LB R
Names
Chip Enables (3)
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Clock
Upper Byte Select (2)
Lower Byte Select (2)
ADS L
CNTEN L
CNTRST L
FT /PIPE L
ADS R
CNTEN R
CNTRST R
FT /PIPE R
V SS
GND
Address Strobe
Counter Enable
Counter Reset
Flow-Through/Pipeline
Power
Ground
NOTES:
1. A14x is a NC for IDT709269.
2. LB and UB are single buffered regardless of state of FT /PIPE.
3. CE o and CE 1 are single buffered when FT /PIPE = V IL ,
CE o and CE 1 are double buffered when FT /PIPE = V IH ,
i.e. the signals take two cycles to deselect.
3243 tbl 01
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
Upper Byte
I/O 8-15
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
Lower B yte
I/O 0-7
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
D IN
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
Mode
Deselected —Power Down
Deselected —Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. ADS , CNTEN , CNTRST = X.
3. OE is an asynchronous input signal.
3
6.42
3243 tbl 02
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PDF描述 |
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