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参数资料
| 型号： | IDT70P257L55BYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（6x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P257L55BYGI 800-1374 |
VERY LOW POWER 1.8V
Features
8K/4K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70P257/247L
◆
◆
◆
◆
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Industrial: 55ns (max.)
Low-power operation
IDT70P257/247L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6 μ W (typ.)
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
IDT70P257/247 easily expands data bus width to 32 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M/ S = V DD for BUSY output flag on Master
M/ S = V SS for BUSY input on Slave
Input Read Register
Output Drive Register
BUSY and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
LVTTL-compatible, single 1.8V (±100mV) power supply
Available in 100 Ball 0.5mm-pitch BGA
Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/ W L
UB L
LB L
CE L
OE L
R/ W R
UB R
LB R
CE R
OE R
I/O 8L -I/O 15L
I/O
I/O
I/O 8R -I/O 15R
,
BUSY L
BUSY R
I/O 0L -I/O 7L
(2,3)
Control
Control
I/O 0R -I/O 7R
(2,3)
A 12L (1)
A 0L
Address
Decoder
CE L
OE L
R/ W L
IRR 0 ,IRR 1
MEMORY
ARRAY
INPUT
READ REGISTER
AND
OUTPUT
DRIVE REGISTER
Address
Decoder
CE R
OE R
R/ W R
ODR 0 - ODR 4
A 12R (1)
A 0R
SFEN
13
13
SEM L
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
NOTES:
INT L
(3)
M/ S
INT R (3)
5684 drw 01
1. A 12X is a NC for IDT70P247.
2. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
3. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
1
JANUARY 2009
DSC-5684/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70P258L55BYI | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70P257L55BYI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70P257L55BYI8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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