参数资料
型号: IDT70P257L55BYGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
标准包装: 90
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K(8K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-VFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(6x6)
包装: 托盘
其它名称: 70P257L55BYGI
800-1374
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial Temperature Range
Left Port
CE L
R/ W L
OE L
A 0L - A 12L (1)
I/O 0L - I/O 15L
SEM L
UB L
LB L
INT L
Right Port
CE R
R/ W R
OE R
A 0R - A 12R (1)
I/O 0R - I/O 15R
SEM R
UB R
LB R
INT R
Names
Chip Enable (Input)
Read/Write Enable (Input)
Output Enable (Input)
Address (Input)
Data Input/Output
Semaphore Enable (Input)
Upper Byte Select (Input)
Lower Byte Select (Input)
Interrupt Flag (Output)
BUSY L
BUSY R
IRR 0 , IRR 1
ODR 0 - ODR 4
SFEN (2)
M/ S
V DD
V SS
Busy Flag
Input Read Register (Input)
Output Drive Register (Output)
Special Function Enable (Input)
Master or Slave Select (Input)
Power (1.8V) (Input)
Ground (0V) (Input)
NOTE:
1. A 12X is a NC for IDT70P247.
2. SFEN is active when either CE L = V IL or CE R = V IL .
SFEN is inactive when CE L = CE R = V IH .
5684 tbl 01
Truth Table I: Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/ W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I/O 8-15
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
I/O 0-7
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected: Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTE:
1. A 0L — A 12L ≠ A 0R — A 12R for IDT70P257; A 0L — A 11L ≠ A 0R — A 11R for IDT70P247.
3
6.42
5684 tbl 02
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