收藏本站
参数资料
型号： IDT70P257L55BYGI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 6/23页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
标准包装： 90
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 128K（8K x 16）
速度： 55ns
接口： 并联
电源电压： 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-VFBGA
供应商设备封装： 100-CABGA（6x6）
包装： 托盘
其它名称： 70P257L55BYGI
800-1374
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial Temperature Range
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 1.8V ± 100mV)
Symbol
I LI
I LO
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 1.8V, V IN = 0V to V DD
CE = V IH , V OUT = 0V to V DD
I OL = +0.1mA
I OH = -0.1mA
Min.
___
___
___
V DD - 0.2V
Max.
1
1
0.2
___
Unit
μ A
μ A
V
V
5684 tbl 08
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 1.8V ±100mV)
70P257/247
Ind'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (1)
Max.
Unit
I DD
I SB1
I SB2
I SB3
I SB4
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
Standby Current (Both Ports -
TTL Level Inputs)
Standby Current (One Port -
TTL Level Inputs)
Full Standby Current (Both
Ports - CMOS Level Inputs)
Full Standby Current (One
Port - CMOS Level Inputs)
CE = V IL , Outputs Open
f = f MAX (2)
CE R and CE L = V IH, SEM = V IH
f = f MAX (2)
CE " A " = V IL and CE " B " = V IH(4) , Active Port Outputs Open
f = f MAX(2)
Both Ports CE L and CE R > V DD - 0.2V,
SEM L and SEM R > V DD - 0.2V, V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
f = f MAX(2) , M/ S = V DD or V SS(4)
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DD - 0.2V (4)
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V, Active Port Outputs Open
f = f MAX (2)
IND'L
IND'L
IND'L
IND'L
IND'L
L
L
L
L
L
15
2
8.5
2
8.5
25
8
14
8
14
mA
μ A
mA
μ A
mA
5684 tbl 09
NOTES:
1. V DD = 1.8V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 15mA ( typ .)
2. At f = f MAX , address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions”.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. If M/ S = V SS , then f BUSYL = f BUSYR = 0 for full standby mode.
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70P258L55BYI IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
IDT70T3339S200BCG IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA
IDT70T3509MS133BP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256BGA
IDT70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
IDT70T3539MS166BCG IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70P257L55BYGI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70P257L55BYI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70P257L55BYI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70P258L55BYGI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70P258L55BYGI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*