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参数资料
型号： IDT70P257L55BYGI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 16/23页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
标准包装： 90
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 128K（8K x 16）
速度： 55ns
接口： 并联
电源电压： 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-VFBGA
供应商设备封装： 100-CABGA（6x6）
包装： 托盘
其它名称： 70P257L55BYGI
800-1374
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial Temperature Range
ADDR "A"
CE "A"
R/ W "A"
INT "B"
t AS (3)
t INS
(3)
(2)
INTERRUPT SET ADDRESS
t WR (4)
t RC
5684 drw 14
,
ADDR "B"
CE "B"
OE "B"
INT "B"
t AS (3)
t INR (3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
,
5684 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. See Interrupt Truth Table III.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
16
6.42
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PDF描述
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