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参数资料
| 型号： | IDT70P257L55BYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（6x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P257L55BYGI 800-1374 |
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Capacitance
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)
Industrial Temperature Range
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
Symbol
Parameter
Conditions (2)
Max.
Unit
Grade
Ambient
GND
V DD
C IN
Input Capacitance
V IN = 3dV
9
pF
Temperature
C OUT
Output Capacitance
V OUT = 3dV
11
pF
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
1.8V + 100mV
5684 tbl 07
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
5684 tbl 05
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
Recommended DC Operating Conditions
Symbol
V DD
V SS
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage (3)
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
1.7
0
1.2
-0.2
Typ.
1.8
0
___
___
Max.
1.9
0
V DD + 0.2
0.4
Unit
V
V
V
V
5684 tbl 06
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V.
3. M/ S operates at the V DD and V SS voltage levels.
5
6.42
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PDF描述 |
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