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参数资料
| 型号： | IDT70P257L55BYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（6x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P257L55BYGI 800-1374 |
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial Temperature Range
Device 1
IRR 0
Device 2
IRR 1
Input Read Register
(ADDRESS x0000)
A 0L - A 12L (1)
I/O 0L - I/O 15L
Address & I/O
Control
Memory
Array
5684 drw 16
Figure 3. Input Read Register
Device 2
Device 4
A 0R - A 12R (1)
I/O 0R - I/O 15R
Device 1
Device 3
Device 5
ODR 0 ODR 1 ODR 2 ODR 3 ODR 4
Output Drive Register
(ADDRESS x0001)
A 0L - A 12L (1)
I/O 0L - I/O 15L
Address & I/O
Control
A 0R - A 12R (1)
I/O 0R - I/O 15R
Memory
Array
5684 drw 17
Figure 4. Output Drive Register
NOTE:
1. A 12X is a NC for IDT70P247.
19
6.42
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PDF描述 |
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