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参数资料
| 型号： | IDT70P257L55BYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（6x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P257L55BYGI 800-1374 |
IDT70P257/247L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions
Industrial Temperature Range
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 1.8V
3ns Max.
0.9V
0.9V
Figure 1
1.8V
5684 tbl 10
R1
R1
R2
1.8V
13500 ?
10800 ?
30pF
R2
5684 tbl 10_5
5684 drw 03
Figure 1. AC Output Test Load
(5pF for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50
%
,
5684 drw 04
7
6.42
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PDF描述 |
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