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参数资料
| 型号： | IDT70T3539MS133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3539MS133BC8 |
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SAD t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
,
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5678 drw 15
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance (1)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
An
t SAD t HAD
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTEN
t CD1
DATA OUT
Qx (2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3 (2)
Qn + 4
,
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5678 drw 16
NOTES:
1. CE 0 , OE , BE n = V IL ; CE 1 , R/ W , and REPEAT = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
16
6.42
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