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参数资料
| 型号： | IDT70T3539MS133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3539MS133BC8 |
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3539MS166
Com'l Only
70T3539MS133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
640
900
520
740
Current (Both
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
520
900
I SB1 (6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
350
460
280
380
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
280
470
I SB2 (6)
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
500
650
400
500
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
___
___
400
620
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and
COM'L
S
12
20
12
20
(Both Ports - CMOS
CE R > V DDQ - 0.2V, V IN > V DDQ - 0.2V
mA
Level Inputs)
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
___
___
12
25
I SB4 (6)
Full Standby Current
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
S
500
650
400
500
(One Port - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
___
___
400
620
Izz
Sleep Mode Current
ZZ L = ZZ R = V IH
COM'L
S
12
20
12
20
(Both Ports - TTL
f=f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
12
25
5678 tbl 09
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 30mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels ( I SB3) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
8
6.42
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