- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3948 > IDT70T3539MS133BC8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3539MS133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3539MS133BC8 |
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
JTAG Timing Specifications
t JCYC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST
t JRST
t JRSR
Figure 6. Standard JTAG Timing
t JCD
5678 drw 24
,
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
70T3539M
3
Symbol
t JCYC
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t JRSR
t JCD
t JDC
t JS
t JH
Parameter
JTAG Clock Input Period
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
Min.
100
40
40
____
____
50
50
____
0
15
15
Max.
____
____
____
3 (1)
(1)
____
____
25
____
____
____
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
5678 tbl 15
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
23
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-2013928-4 | CONN FPC 37POS .3MM FLIP LOC SMD |
| IDT70V5388S133BC8 | IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA |
| MPC8544AVTALF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCBGA |
| IDT70V5388S100BC | IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 256-BGA |
| MPC8548ECVUAQG | IC MPU POWERQUICC III 783-FCCBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3539MS133BCG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3539MS166BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。