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参数资料
| 型号： | IDT70T653MS12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T653MS12BCI 800-2604 IDT70T653MS12BCI-ND |
IDT70T653M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Identification Register Definitions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Instruction Field Array B
Revision Number (31:28)
IDT Device ID (27:12)
IDT JEDEC ID (11:1)
ID Register Indicator Bit (Bit 0)
Value
Array B
0x0
0x33B
0x33
1
Instruction Field Array A
Revision Number (63:60)
IDT Device ID (59:44)
IDT JEDEC ID (43:33)
ID Register Indicator Bit (Bit 32)
Value
Array A
0x0
0x33B
0x33
1
Description
Reserved for Version number
Defines IDT Part number
Allows unique identification of device vendor as IDT
Indicates the presence of an ID Register
5679 tbl 21
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction (IR)
Bypass (BYR)
Identification (IDR)
Boundary Scan (BSR)
Bit Size
Array A
4
1
32
Note (3)
Bit Size
Array B
4
1
32
Note (3)
Bit Size
70T653M
8
2
64
Note (3)
5679 tbl 22
System Interface Parameters
Instruction
EXTEST
BYPASS
IDCODE
HIGHZ
CLAMP
SAMPLE/PRELOAD
RESERVED
NOTES:
Code
00000000
11111111
00100010
01000100
00110011
00010001
All Other Codes
Description
Forces contents of the boundary scan cells onto the device outputs (1) .
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
Loads the ID register (IDR) with the vendor ID code and places the
register between TDI and TDO.
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO. Forces all
device output drivers to a High-Z state.
Uses BYR. Forces contents of the boundary scan cells onto the device
outputs. Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
SAMPLE allows data from device inputs (2) and outputs (1) to be captured
in the boundary scan cells and shifted serially through TDO. PRELOAD
allows data to be input serially into the boundary scan cells via the TDI.
Several combinations are reserved. Do not use codes other than those
identified above.
5679 tbl 23
1. Device outputs = All device outputs except TDO.
2. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TCK and TRST .
3. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available on the IDT website (www.idt.com), or by contacting your local
IDT sales representative.
23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V05L55G | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70T653MS15BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T653MS15BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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