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参数资料
| 型号： | IDT70T653MS12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T653MS12BCI 800-2604 IDT70T653MS12BCI-ND |
IDT70T653M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configuration (1,2,3)
70T653M BC
BC-256 (4,5)
256-Pin BGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10/07/03
Top View
A1
A2
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A5
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NC
TDI
NC
A 17L A 14L
A 11L
A 8L
BE 2L
CE 1L
OE L
INT L
A 5L
A 2L
A 0L
NC
NC
B1
B2
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B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
I/O 18L
NC
TDO
A 18L
A 15L
A 12L
A 9L
BE 3L
CE 0L R/ W L
NC
A 4L
A 1L
NC
I/O 17L
NC
C1
C2
C3
C4
C5
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C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
I/O 18R I/O 19L V SS
A 16L
A 13L
A 10L
A 7L
BE 1L BE 0L SEM L BUSY L A 6L
A 3L
OPT L I/O 17R I/O 16L
D1
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D3
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D8
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D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
I/O 20R I/O 19R I/O 20L
V DD
V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DD I/O 15R I/O 15L I/O 16R
E1
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E4
E5
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E7
E8
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E10
E11
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E13
E14
E15
E16
I/O 21R I/O 21L I/O 22L V DDQL V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD V DDQR I/O 13L I/O 14L I/O 14R
F1
F2
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F9
F10
F11
F12
F13
F14
F15
F16
I/O 23L I/O 22R I/O 23R V DDQL V DD
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD V DDQR I/O 12R I/O 13R I/O 12L
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
G9
G10
G11
G12
G13
G14
G15
G16
I/O 24R I/O 24L I/O 25L V DDQR V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL I/O 10L I/O 11L I/O 11R
H14
H1 H2 H3 H4 H5
I/O 26L I/O 25R I/O 26R V DDQR V SS
H6
V SS
H7
V SS
H8
V SS
H9
V SS
H10
V SS
H11
V SS
H12
V SS
H13
V DDQL I/O 9R
H15 H16
IO 9L I/O 10R
J1
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J12
J13
J14
J15
J16
I/O 27L I/O 28R I/O 27R V DDQL ZZ R
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ZZ L V DDQR I/O 8R I/O 7R I/O 8L
K1
K2
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K5
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K7
K8
K9
K10
K11
K12
K13
K14
K15
K16
I/O 29R I/O 29L I/O 28L V DDQL V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQR I/O 6R I/O 6L I/O 7L
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
L13
L14
L15
L16
I/O 30L I/O 31R I/O 30R V DDQR V DD
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DDQL I/O 5L
I/O 4R I/O 5R
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
M13
M14
M15
M16
I/O 32R I/O 32L I/O 31L V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD V DDQL I/O 3R I/O 3L I/O 4L
N1
N2
N3
N4
N5
N6
N7
N8
N9
N10
N11
N12
N13
N14
N15
N16
I/O 33L I/O 34R I/O 33R V DD V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DD
I/O 2L
I/O 1R I/O 2R
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
I/O 35R I/O 34L TMS
A 16R
A 13R
A 10R
A 7R
BE 1R BE 0R SEM R BUSY R
A 6R
A 3R
I/O 0L I/O 0R
I/O 1L
R1
I/O 35L
R2
NC
R3 R4
TRST A 18R
R5
A 15R
R6
A 12R
R7
A 9R
R8 R9 R10
BE 3R CE 0R R/ W R
R11
V SS
R12
A 4R
R13
A 1R
R14
OPT R
R15
NC
R16
NC
,
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
NC
TCK
NC
A 17R
A 14R
A 11R
A 8R
BE 2R CE 1R OE R
INT R
A 5R
A 2R
A 0R
NC
NC
5679 drw 02f
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 17mm x 17mm x 1.4mm, with 1.0mm ball-pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
3
,
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T653MS12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T653MS15BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T653MS15BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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