参数资料
型号: IDT70V07L35G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 12/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-BPGA
供应商设备封装: 68-PGA(29.46x29.46)
包装: 托盘
其它名称: 70V07L35G
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
t WB
Industrial and Commercial Temperature Ranges
BUSY "B"
t WH
(1)
NOTES:
R/ W "B"
(2)
2943 drw 14
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on Port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
2943 drw 15
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match Timing (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
ADDRESS "N"
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
2943 drw 16
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from Port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
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IDT70V07L35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V07L35PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP