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参数资料
| 型号： | IDT70V07L35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 18/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V07L35G |
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
A
999
A
A
A
A
Device
Type
Power
Speed
Package
Process/
Temperature
Blank
Tube or Tray
Range
8
Blank
I (1)
G (2)
PF
G
J
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
80-pin TQFP (PN80-1)
68-pin PGA (G68-1)
68-pin PLCC (J68-1)
25
35
55
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
Commercial Only
,
Speed in nanoseconds
S
L
70V07
Standard Power
Low Power
256K (32K x 8) 3.3V Dual-Port RAM
2943 drw 21
NOTES:
1 . Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History:
03/24/99: Initiated datasheet document history
Converted to new format
Cosmetic and typographical corrections
Page 2 and 3 Added additional notes to pin configurations
06/09/99:
10/14/04:
01/29/09:
01/30/09:
06/28/12:
Changed drawing format t
Removed Preliminary status
Page 1 Added I-temp offering
Page 4 Updated Capacitance table
Increased Storage Temp parameter in Absolute Maximum Rating table
Added Junction Temp to Absolute Maximum Rating table
Page 4, 5, 6, 7 & 10 Removed I-temp footnote from tables
Page 5 Added I-temp 25ns power numbers to the DC Electrical Characteristics table
DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Page 5 & 6 Changed transition measurement from ±200mV to 0mV in footnotes
Page 6, 7, 10, & 12 Added I-temp to all AC Electrical Characteristics table
Page 8 Updated Timing Waveform of Write Cycle No. 1, R/ W Controlled Timing
Page 1 & 17 Replaced old IDT TM logo with new IDT TM logo
Page 17 Added I-temp to 25ns speed grade in ordering information
Page 18 Removed "IDT" from orderable part number
Page 1 Added green availability to features
Page 18 Added green indicator to ordering information
Page 17 Added T&R indicator to ordering information
18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08S15PF | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V25L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| IDT70V261L25PFGI | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V07L35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V07L35PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP |
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