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参数资料
| 型号： | IDT70V07L35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V07L35G |
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
3.3V
3.3V
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
3ns
1.5V
DATA OUT
BUSY
590 ?
DATA OUT
590 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
Figures 1 and 2
I NT
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
2943 tbl 10
2943 drw 05
Figure 1. AC Output Test Load
2943 drw 06
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* Including scope and jig.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70V07X25
Com'l
& Ind
70V07X35
Com'l
& Ind
70V07X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
25
____
____
25
35
____
____
35
55
____
____
55
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
25
____
35
____
55
ns
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
____
3
3
____
15
____
____
15
____
3
3
____
20
____
____
20
____
3
3
____
30
____
____
25
ns
ns
ns
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
25
____
35
____
50
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
15
____
____
35
15
____
____
45
15
____
____
65
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Timing of Power-Up Power-Down
CE
2943 tbl 11
I CC
t PU
t PD
I SB
7
2943 drw 07
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08S15PF | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V25L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| IDT70V261L25PFGI | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V07L35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V07L35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V07L35PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP |
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