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参数资料
| 型号： | IDT70V3319S166PRFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3319S166PRFG |
IDT70V3319/99S
High-Speed 3.3V 256/128K x 18 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( FT /PIPE 'X' = V IH ) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(3)
CE 1
UB , LB
R/ W
t SB
t SW
t SA
t HB
t HW
t HA
t SB
(5)
t HB
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
(1 Latency)
t CD2
t DC
DATA OUT
t CKLZ
(1)
Qn
Qn + 1
t OHZ
t OLZ
Qn + 2
(5)
OE
(1)
t OE
5623 drw 06
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-through Output
( FT /PIPE "X" = V IL ) (2,6)
t CYC1
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
(3)
UB , LB
R/ W
t SW t HW
t SA
t HA
t SB
t HB
ADDRESS
(4)
An
t CD1
An + 1
t DC
An + 2
An + 3
t CKHZ
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (5)
NOTES:
OE
(1)
t CKLZ
t OHZ
t OLZ
t OE
t DC
5623 drw 07
1. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
2. ADS = V IL , CNTEN and REPEAT = V IH .
3. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , UB , LB = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to
Truth Table 1.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
5. If UB , LB was HIGH, then the appropriate Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
6. "x" denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
12
6.42
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V3379S4BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BCG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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