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参数资料
| 型号： | IDT70V3319S166PRFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3319S166PRFG |
IDT70V3319/99S
High-Speed 3.3V 256/128K x 18 Dual-Port Synchronous Static RAM
Identification Register Definitions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
0x0314
Instruction Field
Revision Number (31:28)
IDT Device ID (27:12)
IDT JEDEC ID (11:1)
ID Register Indicator Bit (Bit 0)
NOTE:
1. Device ID for IDT70V3399 is 0x0315.
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction (IR)
Bypass (BYR)
Identification (IDR)
Boundary Scan (BSR)
Value
0x0
(1)
0x33
1
Bit Size
4
1
32
Note (3)
Description
Reserved for version number
Defines IDT part number
Allows unique identification of device vendor as IDT
Indicates the presenc e of an ID register
5623 tbl 13
5623 tbl 14
System Interface Parameters
Instruction
EXTEST
BYPASS
IDCODE
HIGHZ
SAMPLE/PRELOAD
RESERVED
NOTES:
Code
0000
1111
0010
0011
0001
All other codes
Description
Forces contents of the boundary scan cells onto the device outputs (1) .
Places the boundary scan registe r (BSR) between TDI and TDO.
Places the by pass register (BYR) between TDI and TDO.
Loads the ID register (IDR) with the vendor ID code and places the
register between TDI and TDO.
Places the bypass register (BYR) be tween TDI and TDO. Forces all
device output drivers to a High-Z state.
Places the boundary scan registe r (BSR) between TDI and TDO.
SAMPLE allows data from device inputs (2) to be captured in the
boundary scan cells and shifted serially through TDO. PRELOAD allows
data to be input serially into the b oundary scan cells via the TDI.
Several combinations are reserved. Do not use codes other than those
identified above.
5623 tbl 15
1. Device outputs = All device outputs except TDO.
2. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST .
3. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available on the IDT website (www.idt.com), or by contacting your local
IDT sales representative.
21
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3319S166PRFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3379S4BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BCG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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