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参数资料
| 型号： | IDT70V3319S166PRFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3319S166PRFG |
IDT70V3319/99S
High-Speed 3.3V 256/128K x 18 Dual-Port Synchronous Static RAM
Description:
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V3319/99 is a high-speed 256/128K x 18 bit synchronous
Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to
allow simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold
times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
IDT70V3319/99 has been optimized for applications having unidirectional
Pin Configuration (1,2,3,4,5)
or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The 70V3319/99 can support an operating voltage of either 3.3V or
2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply
for the core of the device (V DD ) remains at 3.3V.
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15
16 17
I/O 9L
NC
NC
V SS
V SS
NC
TDO
TDI
NC
A 17L(1)
A 16L
A 13L
A 12L
A 9L
A 8L
NC
NC
CE 0L
V DD
V SS
CLK L
ADS L
CNTEN L
A 5L
A 4L
A 1L
A 0L
V SS
OPT L
V DDQR
NC
I/O 8L
V SS
NC
A
B
V DDQL
I/O 9R
V DDQR PIPE/ FT L
NC
A 14L
A 10L
UB L
CE 1L
V SS
R/ W L
A 6L
A 2L
V DD
I/O 8R
NC
V SS
C
NC
V SS
I/O 10L
NC
A 15L
A 11L
A 7L
LB L
V DD
OE L
REPEAT L
A 3L
V DD
NC
V DDQL
I/O 7L
I/O 7R
D
I/O 11L
NC
V DDQR I/O 10R
I/O 6L
NC
V SS
NC
E
V DDQL
NC
I/O 11R
V SS
NC
I/O 12L
V SS
NC
V SS
NC
I/O 6R
V DDQL
NC
I/O 5L
V DDQR
NC
F
G
V DD
NC
V DDQR I/O 12R
70V3319/99BF
V DD
NC
V SS
I/O 5R
H
V DDQL
I/O 14R
NC
V DDQL
NC
V DD
V SS
I/O 14L
NC
V SS
V SS
I/O 13R
V DDQR
I/O 15R
NC
V SS
V SS
I/O 13L
V SS
I/O 15L
BF-208 (6)
208-Pin fpBGA
Top View (7)
V SS
I/O 3R
NC
V SS
I/O 1R
V DD
V DDQL
I/O 3L
NC
V DDQL
V SS
I/O 4R
V SS
I/O 2R
NC
V DDQR
V SS
I/O 4L
V DDQR
I/O 2L
J
K
L
M
N
I/O 16R
V SS
NC
I/O 16L
NC
I/O 17L
V DDQR
I/O 17R
V DDQL
NC
TCK
TMS
TRST
A 17R(1)
NC
A 16R
A 13R
A 14R
A 12R
A 9R
A 10R
A 8R
NC
UB R
NC
CE 0R
CE 1R
V DD
V SS
V SS
CLK R
ADS R
R/ W R
CNTEN R
A 5R
A 6R
A 4R
A 1R
A 2R
NC
V SS
V SS
I/O 1L
V DDQL
NC
V SS
I/O 0R
V SS
NC
V DDQR
NC
P
R
T
V SS
NC
PIPE/ FT R
NC
A 15R
A 11R
A 7R
LB R
V DD
OE R REPEAT R
A 3R
A 0R
V DD
OPT R
NC
I/O 0L
U
5623 drw 02c
NOTES:
1. A 17 is a NC for IDT70V3399.
2. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
3. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
4. All V SS pins must be connected to ground supply.
5. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
6. This package code is used to reference the package diagram.
7. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
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PDF描述 |
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| IDT70V3379S4BCG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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