- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V3319S166PRFG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V3319S166PRFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3319S166PRFG |
IDT70V3319/99S
High-Speed 3.3V 256/128K x 18 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (2)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
Dn + 2
DATA OUT
(1)
t CD1
Qn
t DC
t CD1
Qn + 1
t CKHZ
t CD1
t CKLZ
t CD1
Qn + 3
t DC
READ
NOP
(5)
WRITE
READ
6523 drw 14
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(3)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
(1)
t CD1
t DC
Dn + 2
Dn + 3
t OE
t CD1
t CD1
DATA OUT
Qn
Qn + 4
OE
t OHZ
t CKLZ
t DC
NOTES:
READ
WRITE
READ
5623 drw 15
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
16
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3379S5PRFI | IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP |
| IDT70V3389S5PRFI | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP |
| IDT70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT 5NS 208QFP |
| IDT70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP |
| IDT70V3599S133DRI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3319S166PRFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3379S4BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BCG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。