- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V37L20PFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V37L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V37L20PFI |
IDT70V37L
High-Speed 3.3V 32K x 18 Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 14L
I/O 0L - I/O 17L
SEM L
UB L
LB L
INT L
BUSY L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 14R
I/O 0R - I/O 17R
SEM R
UB R
LB R
INT R
BUSY R
M/ S
V DD
V SS
Names
Chip Enables
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
Upper Byte Select
Lower Byte Select
Interrupt Flag
Busy Flag
Master or Slave Select
Power (3.3V)
Ground (0V)
Absolute Maximum Ratings (1)
4851 tbl 01
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
Symbol
Rating
Commercial
Unit
V DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
& Industrial
V SS
Ground
0
0
0
V
V TERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect to GND
-0.5 to +4.6
V
V IH
V IL
Input High Voltage
Input Low Voltage
2.0
-0.3 (1)
____
____
V DD +0.3
0.8
(2)
V
V
T BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
NOTES:
4851 tbl 04
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
T STG
Storage
-65 to +150
o
C
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V.
Temperature
I OUT
N OTES:
DC Output Current
50
mA
4851 tbl 02
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
Capacitance (1) (T A = +25°C, f = 1.0MHz)
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
C IN
Input Capacitance
V IN = 0V
9
pF
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
C OUT (2)
Output Capacitance
V OUT = 0V
10
pF
NOTES:
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
4851 tbl 05
1. This parameter is determined by device characterization but is not produc-
tion tested.
2. C OUT also references C I/O .
Grade
Commercial
Industrial
NOTE:
Ambient
Temperature (1)
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
3.3V + 0.3V
3.3V + 0.3V
4851 tbl 03
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
3
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V38L15PFG | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V525ML55BZI | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| IDT70V5388S166BGI | IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA |
| IDT70V631S10PRFG | IC SRAM 4MBIT 10NS 128TQFP |
| IDT70V639S12PRFI | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V37L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V38L15PF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V38L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V38L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V38L15PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。