参数资料
型号: IDT70V37L20PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 576K(32K x 18)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V37L20PFI
IDT70V37L
High-Speed 3.3V 32K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
DATA OUT (2)
SEM
I/O
t AW
t WR
t EW
t DW
DATA IN VALID
t SOP
t ACE
t OH
VALID
R/ W
t AS
t WP
t DH
OE
t SWRD
t SOP
t AOE
Write Cycle
Read Cycle
4851 drw 09
.
NOTES:
1. CE = V IH or UB and LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle) (Refer to Truth Table I - Chip Enable).
2. "DATA OUT VALID" represents all I/O's (I/O 0 - I/O 17 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
SIDE
SIDE
(2)
(2)
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
t SPS
MATCH
SEM "B"
4851 drw 10
.
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE L = CE R = V IH or both UB and LB = V IH (Refer to Truth Table I - Chip Enable).
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied, the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
9
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V38L15PFG IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP
IDT70V525ML55BZI IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA
IDT70V5388S166BGI IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA
IDT70V631S10PRFG IC SRAM 4MBIT 10NS 128TQFP
IDT70V639S12PRFI IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V37L20PFI8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V38L15PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V38L15PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V38L15PFG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V38L15PFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP