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参数资料
| 型号： | IDT79RC32V334-133BB9 |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 133 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA256 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-256 |
| 文件页数： | 26/30页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | IDT79RC32V334-133BB9 |
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November 1, 2001
79RC32334
Pin Description Table
The following table lists the pins provided on the RC32334. Note that those pin names followed by ”_n” are active-low signals. All external pull-ups
and pull-downs require 10 k resistor.
Name
Type
Drive
Strength
Capability
Description
Local System Interface
mem_data[31:0]
I/O
High
Local system data bus
Primary data bus for memory. I/O and SDRAM.
mem_addr[25:2]
I/O
[25:16] Low
[15:2] High
Memory Address Bus
These signals provide the Memory or DRAM address, during a Memory or DRAM bus transaction. During
each word data, the address increments either in linear or sub-block ordering, depending on the transaction
type. The table below indicates how the memory write enable signals are used to address discreet memory
port width types.
mem_addr[22] Alternate function: reset_boot_mode[1].
mem_addr[21] Alternate function: reset_boot_mode[0].
mem_addr[20] Alternate function: reset_pci_host_mode.
mem_addr[19] Alternate function: modebit [9].
mem_addr[18] Alternate function: modebit [8].
mem_addr[17] Alternate function: modebit [7].
mem_addr[15] Alternate function: sdram_addr[15].
mem_addr[14] Alternate function: sdram_addr[14].
mem_addr[13] Alternate function: sdram_addr[13].
mem_addr[11] Alternate function: sdram_addr[11].
mem_addr[10] Alternate function: sdram_addr[10].
mem_addr[9] Alternate function: sdram_addr[9].
mem_addr[8] Alternate function: sdram_addr[8].
mem_addr[7] Alternate function: sdram_addr[7].
mem_addr[6] Alternate function: sdram_addr[6].
mem_addr[5] Alternate function: sdram_addr[5].
mem_addr[4] Alternate function: sdram_addr[4].
mem_addr[3] Alternate function: sdram_addr[3].
mem_addr[2] Alternate function: sdram_addr[2].
mem_cs_n[5:0]
Output
Low
Memory Chip Select Negated Recommend an external pull-up.
Signals that a Memory Bank is actively selected.
mem_oe_n
Output
High
Memory Output Enable Negated Recommend an external pull-up.
Signals that a Memory Bank can output its data lines onto the cpu_ad bus.
mem_we_n[3:0]
Output
High
Memory Write Enable Negated Bus
Signals which bytes are to be written during a memory transaction. Bits act as Byte Enable and
mem_addr[1:0] signals for 8-bit or 16-bit wide addressing.
Table 1 Pin Descriptions (Part 1 of 7)
Port Width
Pin Signals
mem_we_n[3]
mem_we_n[2] mem_we_n[1]
mem_we_n[0]
DMA (32-bit) mem_we_n[3]
mem_we_n[2] mem_we_n[1]
mem_we_n[0]
32-bit
mem_we_n[3]
mem_we_n[2] mem_we_n[1]
mem_we_n[0]
16-bit
Byte High Write Enable mem_addr[1]
Not Used (Driven Low) Byte Low Write Enable
8-bit
Not Used (Driven High) mem_addr[1]
mem_addr[0]
Byte Write Enable
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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