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参数资料
型号： IPB80N08S2L-07
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数： 4/8页
文件大小： 163K
代理商： IPB80N08S2L-07
IPB80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
= f(
T
C
);
V
GS
≥
4 V
I
D
= f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
= f(
V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
Z
thJC
= f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.05
0.1
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
Z
t
0
50
100
150
200
250
300
350
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2006-03-03
相关PDF资料
PDF描述
IPB80P03P3L-04 OptiMOS-P Power-Transistor
IPD03N03LB OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD03N03LBG OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD03N03LA Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications
IPD04N03L Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT02; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle
相关代理商/技术参数
参数描述
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