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参数资料
| 型号： | IR22141SSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 16/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE SGL 24SSOP |
| 标准包装： | 55 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 440ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 1200V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | IRMD2214SS-ND - KIT DESIGN EVAL BOARD IR2214SS IRMD22141SS-ND - KIT DESIGN EVAL BOARD/IR22141SS |
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IR21141/IR22141SSPbF
Referred to the timing diagram of Fig. 17:
A. When the input signals are on together the
outputs go off (anti-shoot through),
B. The HO signal is on and the high side IGBT
desaturates, the HO turn off softl y while the
SY_FLT stays low. When SY_FLT goes high
the FAULT/SD goes low. While in SSD, if LIN
goes up, LO does not change (freeze),
C. When FAULT/SD is latched low (see
FAULT/SD section) FLT_CLR can disable it
and the outputs go back to follow the inputs,
D. The DSH goes high but this is not read
because HO is off,
E. The LO signal is on and the low side IGBT
desaturates, the low side behaviour is the
same as described in point B,
F. The DSL goes high but this is not read as LO
is off,
G. As point A (anti-shoot through ).
www.irf.com
16
Referred to the timing diagram Fig. 18:
A. The device is in the hold state, regardless of
input variations. The hold state results as
SY_FLT is forced low externally,
B. The device outputs go off by hard shutdown,
externally commanded. A through B is the
same sequence adopted by another IR2x14x
device in SSD procedure.
C. Externally driven low FAULT/SD (shutdown
state) cannot be disabled by forcing FLT_CLR
(see FAULT/S D section),
D. The FAULT/SD is released and the outputs go
back to follow the inputs,
E. Externally driven low FAULT/SD: outputs go
off by hard shutdown (like point B),
F. As point A and B but for the low side output.
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2235JPBF | IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC |
| IR2301PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP |
| IR2302PBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP |
| IR2304SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC |
| IR2308SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR22141SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
| IR22141SSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2214SS | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE SGL 24SSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2214SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1200V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2214SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
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