参数资料
型号: IRF1010EL
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
产品目录绘图: IR Hexfet TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 84A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
产品目录页面: 1519 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: *IRF1010EL
IRF1010ES/IRF1010EL
D 2 Pak Tape & Reel Information
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IR E C TIO N 1 .8 5 ( .0 7 3 )
4 .1 0 ( .1 6 1 )
3 .9 0 ( .1 5 3 )
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
1 1.6 0 (.4 57 )
0.3 6 8 (.01 4 5 )
0.3 4 2 (.01 3 5 )
1 .6 5 ( .0 6 5 )
1 1.4 0 (.4 49 )
1 5 .42 (.60 9 )
1 5 .22 (.60 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TRL
1 .75 (.06 9 )
1 0.9 0 (.4 2 9)
1 0.7 0 (.4 2 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .1 0 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .9 0 (.62 6 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TE S :
3 30 .00
( 14.1 73 )
MAX.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079 )
2 3.9 0 (.9 41)
4
6 0.0 0 (2.36 2)
M IN .
30.4 0 (1.19 7)
M A X.
1 . CO M F OR M S TO E IA -418 .
2 . CO N TR O L LIN G D IM E N SIO N : M IL LIM E T ER .
3 . DIM E NS IO N M EA S UR E D @ H U B.
4 . IN C LU D ES FL AN G E DIST O R T IO N @ O UT E R E D G E.
26 .40 (1 .03 9)
24 .40 (.9 61 )
3
4
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR ’ s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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10
www.irf.com
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