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参数资料
| 型号： | IRF1010EL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF1010EL |
IRF1010ES/IRF1010EL
1000
100
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
4.5V
10
4.5V
J
J
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T = 25 ° C
10 100
10
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
D = 84A
1000
T J = 25 ° C
3.0
2.5
I
100
T J = 175 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
10
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
8 9 10 11
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT4127SE | SW CAP ROCKER SCULPTURED CLR YEL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010ELPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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