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参数资料
| 型号： | IRF1010EL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF1010EL |
IRF1010ES/IRF1010EL
6000
5000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd , Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 50A
V DS = 48V
V DS = 30V
V DS = 12V
4000
Ciss
12
3000
2000
Coss
8
1000
Crss
4
0
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
140
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100
T J =
175 ° C
100
100μsec
10
1
T J = 25 ° C
10
1msec
Tc = 25°C
0.1
V GS = 0 V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.6 1.2 1.8
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.4
1
10 100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT4127SE | SW CAP ROCKER SCULPTURED CLR YEL |
| SM31TA105 | TRIMMER 1M OHM 0.125W SMD |
| SM31TA104 | TRIMMER 100K OHM 0.125W SMD |
| IRFB41N15D | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB |
| AT4127SC | SW CAP ROCKER SCULPTURED CLR RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010ELPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF1010EPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010ES | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A) |
| IRF1010ESL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRF1010ESPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 83A, 12 MOHM, 86.6 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 84A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 84A D2PAK |
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