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参数资料
| 型号： | IRF3610STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 103A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF3610STRLPBFDKR |
IRF3610SPbF
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.7V
4.5V
4.2V
4.0V
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
6.0V
5.0V
4.7V
4.5V
4.2V
4.0V
10
10
4.0V
1
4.0V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
3.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 175°C
2.5
ID = 62A
VGS = 10V
2.0
10
TJ = 25°C
1.5
1
0.1
VDS = 50V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
Coss
14.0
12.0
10.0
8.0
ID= 62A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
6.0
100
10
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
140
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 26, 2014
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PDF描述 |
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