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参数资料
| 型号： | IRF3610STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 103A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 62A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF3610STRLPBFDKR |
IRF3610SPbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
I nductor Curren t
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 21. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
V (BR)DSS
15V
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
V GS
R G
GS
V 10V
V DS
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 23a. Switching Time Test Circuit
Fig 23b. Switching Time Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Vgs(th)
V GS
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 24a. Gate Charge Test Circuit
Fig 24b. Gate Charge Waveform
7
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 26, 2014
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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