参数资料
型号: IRF3610STRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 103A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.6 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5380pF @ 25V
功率 - 最大: 333W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
其它名称: IRF3610STRLPBFDKR
IRF3610SPbF
1000
100
T J = 175°C
10000
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μs
10
T J = 25°C
10
1ms
1.0
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
3ms
10ms
DC
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
120
100
80
60
40
20
0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
125
120
115
110
105
100
95
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
ID = 1.0mA
25
50
75
100
125
150
175
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
3.5
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
2000
3.0
TOP
ID
13A
2.5
1600
27A
BOTTOM 62A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1200
800
400
0
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Typical C OSS Stored Energy
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
4
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March 26, 2014
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PDF描述
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