型号: | IRF520 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
中文描述: | N沟道增强模式功率MOS晶体管(不适用沟道增强模式功率MOSFET的) |
文件页数: | 4/9页 |
文件大小: | 181K |
代理商: | IRF520 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF520_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF520A | 功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF520CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
IRF520FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
IRF520L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |