- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381955 > IRF520 (意法半导体) N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF520 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道增强模式功率MOS晶体管（不适用沟道增强模式功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRF520 |
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Maximum Drain Current vs Temperature
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
Capacitance Variations
IRF520/FI
5/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520FI | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| IRF530FP | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOS晶体管) |
| IRF530 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| IRF620FI | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
| IRF620 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N沟道增强模式功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF520_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520A | 功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
| IRF520FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF520L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。