参数资料
型号: IRF5210S
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d- 100V的,的Rds(on)\u003d 0.06ohm,身份证\u003d- 40A条)
文件页数: 3/10页
文件大小: 186K
代理商: IRF5210S
IRF5210S/L
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
BOTTOM - 4.5V
-4.5V
40μs PULSE W IDTH
Tc
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
A
-
-DS
VGS
-4.5V
40μs PULSE W IDTH
T = 175°C
1
10
100
1000
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
T = 175°C
V = -50V
40μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
A
V = -10V
I = -35A
相关PDF资料
PDF描述
IRF5210 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
IRF5305PBF HEXFET Power MOSFET
IRF5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
IRF530L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
IRF530FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF5210SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF5210SPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5210STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, TO-263AB
IRF5210STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF5210STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube