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参数资料
| 型号： | IRF5210S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.06ohm，身份证\u003d- 40A条） |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | IRF5210S |
IRF5210S/L
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
T , Case Temperature (°
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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