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参数资料
型号： IRF540
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： JFETs
英文描述： 100V，27A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，27A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）)
中文描述： 27 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装： CASE 221A-09, 3 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 142K
代理商： IRF540
IRF540
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 13. Thermal Response
Rthjl(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = 1.67°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t, TIME (seconds)
1.0
0.01
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
1.0E–05
0.02
0.1
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+0
0.2
0.1
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