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参数资料
| 型号： | IRF640NL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF640NL |
IRF640N/S/L
D 2 Pak Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TRR
1.60 (.063)
1.50 (.059)
FEED DIRECTION 1.85 (.073)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
11.60 (.457)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.65 (.065)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
TRL
1.75 (.069)
10.90 (.429)
10.70 (.421)
1.25 (.049)
16.10 (.634)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
15.90 (.626)
FEED DIRECTION
NOTES :
330.00
(14.173)
MAX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
Notes:
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
4
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 4.2mH
R G = 25 ? , I AS = 11A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? This is only applied to TO-220AB package
? This is applied to D 2 Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
? I SD ≤ 11A , di/d t ≤ 344A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the automotive [Q101] (IRF640N)
& industrial market (IRF640NS/L).
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 10/04
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF640NLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IRF640NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF640NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF640NS | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| IRF640NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
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