参数资料
型号: IRF640NL
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1160pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF640NL
IRF640N/S/L
20
V DS
R D
20
16
16
R G
V GS
D.U.T.
+ -
V DD
12
12
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
8
4
8
4
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
50 T , Case Temperature ( 150
° C)
0
0
25
25
50     75    100    125    150
75    100    125
T C C , Case Temperature ( ° C)
175
175
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
1
D = 0.50
0.20
0.10
Fig 10b. Switching Time Waveforms
P DM
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t 2
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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