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参数资料
| 型号： | IRF6607TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6930pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6607
DirectFET ? Tape & Reel Dimension
(Showing component orientation).
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6607). For 1000 parts on 7" reel,
order IRF6607TR1
REEL DIMENSIONS
STANDARD OPTION (QTY 4800)
TR1 OPTION (QTY 1000)
METRIC
IMPERIAL
METRIC IMPERIAL
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
Notes:
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.25mH
R G = 25 ? , I AS = 20A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? Surface mounted on 1 in. square Cu board.
? Used double sided cooling , mounting pad.
? Mounted on minimum footprint full size board with metalized
back and with small clip heatsink.
? T C measured with thermal couple mounted to top (Drain) of
part.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 12/05
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6613 | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT |
| IRF6614TR1 | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| IRF6633TR1 | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP |
| IRF6644TR1 | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
| IRF6645 | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6608 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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