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参数资料
| 型号： | IRF6633TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MP |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6633
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
10
10
1
2.5V
2.5V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
1000
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
100
I D = 16A
VGS = 4.5V
VGS = 10V
10
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.5
1.0
1
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.1
0.5
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
20
16
12
TJ = 25°C
Vgs = 3.5V
Vgs = 4.0V
Vgs = 4.5V
Vgs = 5.0V
Vgs = 10V
Coss
8
Crss
100
4
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current and Gate Voltage
www.irf.com
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| IRF6635PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
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