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参数资料
| 型号： | IRF6655TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6655
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
6.0V
6.0V
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100
10
2.0
1.5
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
I D = 5.0A
VGS = 10V
1
0.1
T J = -40°C
T J = 25°C
T J = 150°C
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.5
2
4
6
8
10
12
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
120
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
100
T J = 125°C
1000
Ciss
80
Coss
100
Crss
60
T J = 25°C
Vgs = 10V
10
40
1
10
100
0
2
4
6
8
10
www.irf.com
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
4
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Normalized Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6665TR1 | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| IRF6668TR1 | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| IRF710STRLPBF | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
| IRF7201TR | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| IRF7204 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6655TR1PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6655TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 3.4A, DIRECTFET SH |
| IRF6655TRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6662 | 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 8.3A 7PIN DIRECT-FET MZ - Tape and Reel |
| IRF6662TR1 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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